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如何消除寄生电容的影响

2018-12-06 出处:网络 整理:zhishizhan.net

    话题:如何消除寄生电容的影响

    回答:消除寄生电容的方法有:1、增加初始电容值法。采用增加初始电容值的方法可以使寄生电容相对电容传感器的电容量减小。由公式C0 =img src="s: pic.wenwen.soso./p/2011106/2011106234601-16443660_jpeg_3_40_.jpg"/可知,采用减小极片或极筒间的间距d0 ,如平板式间距可减小为0.2 毫米,圆筒式间距可减小为0.15毫米;或在两电极之间覆盖一层玻璃介质,用以提高相对介电常数,通过实验发现传感器的初始电容量C0不仅显著提高了,同时也防止了过载时两电极之间的短路; 另外,增加面积A或长度也可增加初始电容值C0。不过,这种方法要受到加工工艺和装配工艺、精度、示值范围、击穿电压等的, 一般电容的变化值在10-3~103pF之间。2、采用“驱动电缆”技术,减小寄生电容。如图1所示:在压电传感器和放大器A 之间采用双层屏蔽电缆,并接入增益为1 的驱动放大器,这种接法可使得内屏蔽与芯线等电位,进而消除了芯线对内屏蔽的容漏电,克服了寄生电容的影响,而内外层之间的电容Cx 变成了驱动放大器的负载,电容传感器由于受几何尺寸的,其容量都是很小的,一般仅几个pF到几十pF。因C太小,故容抗XC=1/ωc很大,为高阻抗元件;所以,驱动放大器可以看成是一个输入阻抗很高,且具有容负载,放大倍数为1 的同相放大器。img src="s: pic.wenwen.soso./p/2011106/2011106234603-64400_jpeg_261_1_36.jpg"/

    参考回答:路中所有的引线间都是有电容。和线路中有电感。所以要尽量的减少引线距离。和集中接地。可以减少很多寄生电容;电感!

    话题:如何减小反激开关电源b变压器初级绕组的寄生电容

    回答:首先寄生电容的产生是由于导线之间存在电压差(确切地说。这是一个变化值)。。故而产生了寄生电容。。而对于电容如何减小呢?电容公式C=S/(4PI*K/*d)还需乘以一个常数。。d为距离。即距离越大。电容越小。所以。拉开绕组之间的距离或者增加屏蔽可减少寄生电容。。。但这里存在一个矛盾就是。绕组之间距离太远的话。耦合就会变差。。即漏感就会变大。。所以平时调试变压器的时候应根据实际情况。。。传导(emi)差的话。应减小寄生电容以改善EMI。。效率低的话。可以减少漏感提高效率。寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容,但由于布线之间总是有互容,互容就好像是寄生在布线之间的一样,所以叫寄生电容,又称杂散电容。寄生电容一般是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特。实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,和一个电阻的串联,在低频情况下表现不是很明显,而在高频情况下,等效值会增大,不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感,ESR就是等效电阻。不管是电阻,电容,电感,还是二极管,三极管,MOS管,还有IC,在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值,电感值。

    参考回答:如果你了解寄生电容这个概念或者说知道寄生电容是怎么一回事的话。我想你就自然而然地知道了。。首先寄生电容的产生是由于导线之间存在电压差(确切地说。这是一个变化值)。。故而产生了寄生电容。。而对于电容如何减小呢?电容公式C=S/(4PI*K/*d)还需乘以一个常数。。d为距离。即距离越大。电容越小。所以。拉开绕组之间的距离或者增加屏蔽可减少寄生电容。。。但这里存在一个矛盾就是。绕组之间距离太远的话。耦合就会变差。。即漏感就会变大。。所以平时调试变压器的时候应根据实际情况。。。传导(emi)差的话。应减小寄生电容以改善EMI。。效率低的话。可以减少漏感提高效率渔:你应该先。。寄生电容如何产生。。这样或就能明白了。。

    话题:电路中的旁路电容、寄生电容是如何产生的

    回答:只要是两个相互绝缘的金属,两者之间有电势差,这就构成了电容,带电导体对地,形成了寄生电容。根据高斯定律,可以计算,简单的说Q=CU,平板电容 C=εS/d,可将混有高频电流和低频电流的交流信号中的高频成分旁路滤掉的电容,称做“旁路电容”。 旁路电容的主要功能是产生一个交流分路,从而消去进入易感的那些不需要的能量,即当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时,要求通过某一级时只允低频信号输入到下一级,而不需要高频信号进入,则在该级的输入端加一个适当大小的接地电容,使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉(这是因为电容对高频阻抗小),而低频信号由于电容对它的阻抗较大而被输送到下一级放大 对于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除,而去耦(decoupling,也称退耦)电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。 在具体的,请参见: hi.baidu./dainrain/blog/item/62cfbf12a24e16df03ef3

    话题:变压器产生的寄生电容怎么消除?

    回答:您好! 当您了解寄生电容这个概念,或者说知道寄生电容是怎样一回事的话。我想您就自然而然地知道首先寄生电容。的产生是由于导线之间存在电压差(确切地说。这是一个变化值)。故而产生了寄生电容。。而对于电容如何减小呢?电容公

    参考回答:展开全部 您好! 当您了解寄生电容这个概念,或者说知道寄生电容是怎样一回事的话。我想您就自然而然地知道首先寄生电容。的产生是由于导线之间存在电压差(确切地说。这是一个变化值)。故而产生了寄生电容。。而对于电容如何减小呢?电容公式C=S/(4PI*K/*d)还需乘以一个常数。d为距离。即距离越大。电容越小。所以。拉开绕组之间的距离或者增加屏蔽可减少寄生电容。但这里存在一个矛盾就是。绕组之间距离太远的话。耦合就会变差。。即漏感就会变大。。所以平时调试变压器的时候应根据实际情况。传导(emi)差的话。应减小寄生电容以改善EMI。效率低的话。可以减少漏感提高效率。

    话题:电解电容的容值会随电解液的减少而改变吗?

    回答:肯定是会改变的:容量减小,能变差。发现漏液的,鼓顶的,封塑缩裂的,直接更换。即使测量起来容量变化不大,其能也不达标了,会产生各种故障。

    话题:PCB焊盘寄生电容的计算

    回答:这个可以用平面电容的计算公式,由于距离非常接近,近场效应明显,因此, 可以等效于两个4.2平方毫米的平面导电板构成的电容。 公式是: C=ε *ε0* S/d; 全部采用标准单位制主单位; 式中:电容C,单位F;相对介电常数为4.3; ε0

    参考回答:展开全部 这个可以用平面电容的计算公式,由于距离非常接近,近场效应明显,因此, 可以等效于两个4.2平方毫米的平面导电板构成的电容。 公式是: C=ε *ε0* S/d; 全部采用标准单位制主单位; 式中:电容C,单位F;相对介电常数为4.3; ε0真空介电常数.6*10^(-12)单位F/m; 面积S,单位平方米;极板间距d,单位米 ;记得40mil为1mm,因此4mil就是0.1mm 折合10^(-4)米; 入可得: C=4.3*.6*10^(-12)*4.2*10^(-6)/10^(-4)=1.63*10(-12) 法拉; 也就是1.63pF(皮法)。 寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容,但由于布线构之间总是有互容,互感就好像是寄生在布线之间的一样,所以叫寄生电容。 寄生电容一般是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特。实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,和一个电阻的串连,在低频情况下表现不是很明显,而在高频情况下,等效值会增大,不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感,ESR就是等效电阻。不管是电阻,电容,电感,还是二极管,三极管,MOS管,还有IC,在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值,电感值。

    话题:并联电容是怎么降低ESR的

    回答:两者电容容量是相等的。但是现实中电容是有等效串联电感和等效串联电阻寄生参数,一个电容可以看做下图的模型,一个大电容的ESL和ESR是要比小容量的电容大的,而在同容量下ESL和ESR的数值越小电容的滤波能力就越强,所以多个电容并联和一

    参考回答:展开全部 两者电容容量是相等的。但是现实中电容是有等效串联电感和等效串联电阻寄生参数,一个电容可以看做下图的模型,一个大电容的ESL和ESR是要比小容量的电容大的,而在同容量下ESL和ESR的数值越小电容的滤波能力就越强,所以多个电容并联和一个容量。

    话题:如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应

    回答:当IG在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合,在IG关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt,这样会引发门极VGE间电压升高而导通,这是一个潜在的(如图1)。图1:下管IG因为寄生米勒电容而引起导通寄生米勒电容引起的导通在半桥拓扑中,当上管IG(S1)正在导通, 产生变化的电压dV/dt加在下管IG(S1)C-E间。电流流经S2的寄生米勒电容CCG 、门极驱动电阻RG 、内部集成门极驱动电阻RDRIVER ,如图1所示。电流大小大致可以如下公式进行估算:这个电流产生使门极电阻两端产生电压差,这个电压如果超过IG的门极驱动门限阈值,将导致寄生导通。设计应该意识到IG节上升会导致IG门极驱动阈值会有所下降,通常就是mv/℃级的。当下管IG(S2)导通时,寄生米勒电容引起的导通同样会发生在S1上。减缓米勒效应的解决方法通常有三种传统的方法来解决以上问题:第一种方法是改变门极电阻(如图2);第二种方法是在在门极G和极E之间增加电容(如图3);第三种方法是采用负压驱动(如图4)。除此之外,还有一种简单而有效的解决方即有源钳位技术(如图5)。的门极开通和关断电阻门极导通电阻RGON影响IG导通期间的门极充压和电流;增大这个电阻将减小门极充电的电压和电流,但会增加开通损耗。寄生米勒电容引起的导通通过减小关断电阻RGOFF可以有效抑制。越小的RGOFF同样也能减少IG的关断损耗,然而需要付出的价是在关断期间由于杂散电感会产生很高的过压尖峰和门极震荡。图2:的门极开通和关断电阻增加G-E间电容以米勒电流G-E间增加电容CG将影响IG开关的特。CG分担了米勒电容产生的门极充流,鉴于这种情况,IG的总的输入电容为CG||CG'。门极充电要达到门极驱动的阈值电压需要的电荷(如图3)。图3:G-E间增加电容因为G-E间增加电容,驱动电源功耗会增加,相同的门极驱动电阻情况下IG的开关损耗也会增加。采用负电源以提高门限电压采用门极负电压全关断,特别是IG模块在100A以上的应用中,是很典型的运用。在IG模块100A以下的应用中,处于成本原因考虑,负门极电压驱动很少被采用。典型的负电源电压电路如图4。图4:负电源电压增加负电源供电增加设计复杂度,同时也增大设计尺寸。有源米勒钳位解决方为了避免RG优化问题、CG的损耗和效率、负电源供电增加成本等问题,另一种通过门极G与极E短路的方法被采用来抑制因为寄生米勒电容导致的意想不到的开通。这种方法可以在门极G与极E之间增加管来实现,在VGE电压达到某个值时,门极G与极E的短路开关(管)将触发。这样流经米勒电容的电流将通过三极管旁路而不至于流向驱动器引脚VOUT。这种技术就叫有源米勒钳位技术(如图5)。

    话题:在感负载的两端并联一定值的电容可以提高功率因素减少负载的

    回答:可以提高用电设备的功率因数,减少到感负载线路中的电流,但不能减少感负载本身通过的电流。

    话题:请问开关频率提高了,电容值可以减少吗 为什么

    回答:相应滤波网络中的电容可以减少一些容量。因为滤波效果主要取决于容抗,容抗越低效果越好,而容抗是随频率成反比的。但是还有另一个因数会影响滤波,就是电容内的等效串联电阻,它和容量有关,取决于电容制造工艺。

    参考回答:展开全部频率越高电容容量可以用的越小。原因是电容容抗和频率成反比。

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